2025年9月10日至12日，第二十六届中国国际光电博览会（CIOE）在深圳圆满举办。本届盛会汇聚全球数万专业观众，共探行业未来。国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称“国科光芯”）携手子公司凯伟佩科（海宁）光电有限公司联袂登场。国科光芯集中展示了基于高性能氮化硅材料的多款前沿产品与方案，全面覆盖光通信与光传感两大核心领域。

现场回顾

国科光芯双展台——信息通信展11C61、智能传感展6B45人气汇聚，吸引了众多行业客户、技术专家与合作伙伴驻足交流。

信息通信展11C61

国科光芯重点展出了400G/800G/1.6T高速硅光及TFLN异质集成芯片产品。同时，国科光芯联合KEYSIGHT 进行现场演示1.6T DR8 Tx-PIC，在此次光博会上大放异彩。

硅光 Tx-PIC系列产品

FLN/SiN异质集成Tx-PIC系列产品

3.2T DR8 TFLN/SiN Tx-PIC

Compatible design for one LD input drivers 4 and 8 optical lanes, with total on-chip loss 13dB and 16dB respectively

Modulator 3dB EO bandwidth > 110GHz with Vpi < 2.2V

1.6T DR8 TFLN/SiN Tx-PIC

Compatible design for one LD input drivers 4 and 8 optical lanes, with total on-chip los13dB and 16dB respectively

Modulator 3dB EO bandwidth > 67GHz with Vpi < 2.2V

1.6T 2*FR4 TFLN/SiN Tx-PIC

One LD input drives two optical lanes

Integrated passive CWDM4 MUXs, with loss < 1dB and spectral bandwidth > 13nm

现场演示

本次展会，国科光芯联合KEYSIGHT 现场演示1.6T DR8 Tx-PIC，搭建200G/lane硅光高频性能测试平台，现场展示了公司多款自研硅光芯片性能及测试结果，吸引了互联网公司、设备厂商及光模块客户参观咨询。

目前国科光芯400G/800G/1.6T硅光芯片已实现量产，支持客户送样测试，欢迎行业客户交流咨询。

国科光芯联合KEYSIGHT 展出1.6T DR8 Tx-PIC Live Demo

现场演示EVB眼图

核心技术优势

展会期间，国科光芯团队与来自国内外多家知名企业的专家就硅光与TFLN异质集成技术在下一代3.2T光互连中的应用前景进行了深入探讨。

国科光芯多年深耕SiN异质集成TFLN技术路线，向参观交流的行业专家介绍了其核心技术优势：

充分发挥SiN作为光波导介质的低损耗特性，以及TFLN调制器的高带宽等性能优势，能够实现400G/lane及更高速率应用的需求。同时也具有高线性度、低驱动电压等产品优势。

方案基于现有成熟的硅光工艺平台（CMOS工艺），集成Si、SiN、Ge等多种材料，片上能够集成探测器(MPD)，具备低成本和可量产性。

众多客户对国科光芯在TFLN异质集成方面的技术突破表现出强烈合作意向，尤其关注其产品在高带宽、低功耗及可量产性等方面的表现，部分客户已初步提出样品测试与定制化开发需求。

智能传感展6B45

国科光芯重点展出SS-OCT精密测量系统、超表面/超透镜等产品，凯伟佩科展示的多维度触觉感知、宽调谐窄线宽扫频激光器也吸引了众多目光。

SS-OCT精密测量系统

具有微米级高分辨率与毫米级深层成像能力，是我司自主研发且首次展出的新一代高精密光学无损检测设备。现场展示了我司自研的OCT芯片，并为观众演示了动力电池壳体、铝合金焊缝、光学镜头等应用场景的高精度动态扫描效果。差异化核心优势吸引了来自相关领域客户的深度咨询与业务洽谈。

超表面/超透镜

基于亚波长尺度的精确调控与半导体的大规模制造优势，将传统毫米级的透镜厚度压缩到微米级，为光学镜头模组行业带来技术革新。现场展示了我司自研的超表面芯片及可替代传统透镜的光学功能，并动态演示了载有超透镜激光雷达的点云效果，受到汽车、3C、安防等领域头部的驻足和肯定。

多维度触觉感知

FBG 多维度触觉感知技术通过结合光纤的高灵敏度、抗干扰能力和多参量感知特性，实现对触觉信号的多维度测量，适用于机器人、假肢、医疗手术、居家养老等领域。

宽调谐窄线宽扫频激光器

基于低损耗氮化硅外腔，以及宽谱增益芯片，在保持窄线宽、单模输出的同时，实现C、C+L、O等波段的波长可调。适用于光纤传感、光通信以及科研领域。

精彩演讲

展会期间，国科光芯联合首席技术官兼数通事业部总经理朱宇博士，于“高性能光电子集成芯片前沿技术论坛”进行关于《硅光异质集成技术发展与应用》的主题演讲。报告主要从硅光异质集成技术发展的市场背景、技术发展历程、商业化进展等多个维度，介绍并分析硅光异质集成为产业带来的技术优势和未来发展趋势及商业化机会。

朱宇博士认为，硅光路线图遵循“每代带宽翻倍”的规律，硅光异质集成有望解决带宽瓶颈；SOI+SiN+TFLN是实现高带宽、高调制效率、低损耗最有竞争力的方案之一；硅光异质集成要实现产业化一定要依赖成熟的工艺平台（CMOS），并不断改进新的工艺平台（键合、TFLN工艺线），实现多种材料的集成（Si、SiN、Ge、TFLN、多层金属）。

关于我们

国科光芯成立于2019年4月，公司以新一代硅光材料——氮化硅为基础，致力于成为全球领先的硅光芯片技术及整体解决方案提供商。2023年实现激光雷达产品100万台量产出货，成为全球消费类激光雷达TOP3供应商，奠定行业基础。在传感领域取得初步成绩的基础上，公司快速布局光通信领域，基于自主开发的“氮化硅+”技术平台与TFLN异质集成技术，建立了硅光及TFLN异质集成两大产品体系，成功开发出400G/800G/1.6T硅光及TFLN/SiN异质集成Tx-PIC产品。目前，公司总人数180+，其中博士15+，研发人员占比70%以上，核心骨干均来自于行业内知名光芯片、光模块公司，核心芯片研发团队深耕硅光领域15+年，为客户提供高性能硅光集成芯片解决方案。

CIOE中国光博会作为行业创新与交流的重要平台，为国科光芯提供了与国内外客户面对面沟通的契机。此次展会不仅展示了公司技术实力，更增强了与产业链上下游的协同合作机会。

展望未来，国科光芯将继续以“致力于成为世界领先的硅光芯片技术与整体解决方案公司” 为指引，坚持创新驱动理念，不断推出更多高性能、高品质的产品，为全球氮化硅硅光技术的发展提供更优质的解决方案。