东南亚
美光新加坡投建1670亿新厂,扩大闪存产能
见道网 2026-01-28 10:45
  • 2026年1月27日,美光宣布启动新加坡新NAND晶圆厂建设,项目总投资达1670亿元
  • 此举将助力美光应对全球存储芯片需求,并巩固新加坡作为其核心制造基地的战略地位
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在全球数据中心和算力设施建设热潮持续推动存储芯片需求增长的背景下,全球领先的半导体制造商美光科技,于2026年1月27日宣布了一项重大投资决定:正式启动其在新加坡新建的一座大型NAND闪存晶圆厂的建设。这座总投资高达240亿美元的工厂,不仅是新加坡首个采用双层设计的先进晶圆厂,也标志着美光在其关键制造基地的战略布局迈入了新阶段。

十年规划,打造先进制造基地

此次宣布的新工厂是一个为期十年的长远规划项目,体现了美光对存储芯片市场长期需求的信心。工厂规划拥有约70万平方英尺的巨型洁净室,预计将于2028年下半年开始投入晶圆生产。该工厂将与美光此前已宣布、计划于2027年投产的高带宽内存先进封装工厂位于同一制造园区内,形成从晶圆制造到高端封装的协同产业链。项目全面建成后,预计将直接创造约1600个高技术岗位,结合封装厂的1400个岗位,共计将为新加坡当地新增约3000个优质就业机会

持续加码,巩固新加坡核心地位

这项投资进一步巩固了新加坡作为美光全球闪存制造和创新中心的核心地位。自1998年进入新加坡以来,美光在当地已累计投资超过900亿美元。随着这座新NAND工厂的落地,美光在新加坡的累计投资规模将进一步提升至约600亿美元。美光公司副总裁兼新加坡区总经理陈国胜表示,这一系列投资是对新加坡优越商业环境、人才储备和基础设施的高度认可。新加坡已发展成为美光在全球范围内至关重要的运营枢纽,支撑着其闪存产品的研发与大规模制造。关键词:基建工程新闻资讯、基建工程新闻网

全球布局,应对存储芯片需求浪潮

美光此次在新加坡的巨额投资是其全球产能扩张战略的关键一环,旨在应对由人工智能、云计算和各行业数字化转型所驱动的、对NAND闪存和HBM等高端存储芯片的爆炸性需求。就在本月早些时候的2026年1月20日,美光还宣布收购力积电的P5工厂以补充DRAM产能。此前,公司也已公布在美国纽约州投资1000亿美元建设超级晶圆厂的计划。这一系列密集的全球性投资动作,彰显了美光意图在激烈的市场竞争中抢占先机、扩大市场份额的决心。行业分析指出,尽管三星和SK海力士等竞争对手也在加速扩产,但存储芯片的供应紧张局面可能将持续至2027年底,这使得当下的产能竞赛尤为关键。(此文出自见道官网www.seetao.com未经允许不得转载否则必究,转载请注明见道网+原文链接)见道网基建工程栏目编辑/高雪

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